チオフェンを原料とする硫黄ドープアモルファス炭素薄膜のCVD合成

フォーマット:
論文(AKAGI収録)
責任表示:
平出, 孝夫 ; 小野, 章夫 ; 伏木, 徹 ; 竹澤, 信隆 ; 黒田, 真一 ; 吉本, 護 ; 山田, 秀雄
出版情報:
日本セラミックス協会, 2002-05-01
著者名:
平出, 孝夫
小野, 章夫
伏木, 徹
竹澤, 信隆
黒田, 真一
吉本, 護
山田, 秀雄
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掲載情報:
日本セラミックス協会学術論文誌 : Nippon Seramikkusu Kyokai gakujutsu ronbunshi
ISSN:
09145400  CiNii Articles  Webcat Plus  IRDB
巻:
111
通号:
1290
開始ページ:
133
終了ページ:
136
バージョン:
publisher
概要:
Amorphous carbon thin films containing sulfur were synthesized from thiophene (C_4H_4S) by the r.f. (13.56 MHz) plasma CVD. The r.f. power was applied intermittently to control the deposition temperature (T_d). While maintaining a constant r.f. power (200 W) and reactive pressure (13.3 Pa), we investigated the effect of T_d on the film chemical structures and properties: specifically microroughness, density, microhardness and internal stress. The deposition rate and microroughness of the films decreased with increasing T_d, while the film density, microhardness and internal stress increased with increasing T_d. X-ray photoelectron spectroscopic (XPS) analysis indicated that S/C ratio of the films remained constant and has no connection with T_d. XPS and Raman spectroscopic analyses showed that the films were composed of two kinds of microdomains with sp^3 and sp^2 bonds similar to the diamond-like carbon (DLC) film. Sulfur incorporation into the film significantly reduced the internal stress. 続きを見る

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